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半导体工艺中的含氟等离子体处理
发明专利未知
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21权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
M·南达库马尔; G·尼尔森; I·柯蒂斯; D·米什拉; D·R·布彻
申请日
Mar 27, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10D 64/68 (2025.01)H10D 64/01 (2025.01)
本公开大体上涉及用于形成半导体装置的半导体加工中的含氟等离子体处理。在实例中，半导体装置包含半导体衬底(502)、位于所述半导体衬底(502)上方的栅极介电层(520)和位于所述栅极介电层(520)上方的栅极电极(602)。所述栅极介电层(520)包含包括氟的氮化氧化硅。所述栅极电极(602)包含接近所述栅极介电层(520)的近侧部分，且所述栅极电极(602)的所述近侧部分不包含氟。