一种改善栅极高度差的方法及半导体器件

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种改善栅极高度差的方法及半导体器件，本发明通过在NMOS区域上选择性保留光刻胶层，在PMOS区域上暴露第一刻蚀保护层，然后刻蚀位于PMOS区域上的第一刻蚀保护层和NMOS区域上的光刻胶层和第一刻蚀保护层，直至暴露出栅极结构的顶部以及PMOS区域上的栅极结构侧壁以外的半导体衬底，以使得刻蚀后的所述栅极结构的高度相同，从而不需要再执行其他操作弥补该高度差，实现后续工艺的简化。