半导体器件及其制造方法

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在第一金属化(M_1st)层中，M_1st区段具有第一节距并且基本具有第一宽度，其间具有均匀的第一间隙；以及布置成阵列并包括第一电容器单元和第二电容器单元的电容器单元区；每个电容器单元具有第一数量的M_1st区段和基本均匀的物理布置；M_1st区段的电性布置对于第二电容器单元与对于第一电容器单元不同；对于每个电容器单元，M_1st区段之间的耦合和相应的第一电压或第二电压被布置为使得：每个第一电容器单元基本提供第一电容；并且每个第二电容器单元基本提供小于第一电容的非零第二电容。