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集成电路装置
发明专利未知
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10D 84/83 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/80 (2025.01)
提供了一种集成电路装置及其制造方法，其中，在该集成电路装置中，布置弯曲的沟道层以改善电气特性，并且在形成在源极/漏极区的侧壁上的内间隔件中不形成栅极绝缘材料，从而减小寄生电容。
IPC 分类
提供了一种集成电路装置及其制造方法，其中，在该集成电路装置中，布置弯曲的沟道层以改善电气特性，并且在形成在源极/漏极区的侧壁上的内间隔件中不形成栅极绝缘材料，从而减小寄生电容。