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半导体器件

发明专利未知
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

许大弘; 金茶惠; 尹喆珍; 池晟烨

申请日

Mar 26, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10D 88/00 (2026.01)

一种半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管以及第一接触插塞。所述第一晶体管包括第一栅极结构、第一沟道和第一源极/漏极层。所述第二晶体管设置在所述第一晶体管上,并且包括第二栅极结构、第二沟道和第二源极/漏极层。所述第一接触插塞延伸穿过所述第二源极/漏极层并且接触所述第一源极/漏极层的上表面。所述第一接触插塞的在所述第一方向上的中央部分在所述第二方向上的第一宽度小于所述第一接触插塞的在所述第一方向上的相对端部中的每一者在所述第二方向上的第二宽度。

§ Ⅵ

专利附图

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