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包括终止沟槽结构或片段的半导体器件
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)
公开了包括终止沟槽结构或片段的半导体器件。提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括在半导体衬底(102)的第一表面(1025)处的源极区(103)。半导体器件(100)还包括沿着第一横向方向(x1)与源极区(103)隔开的漏极区(104)。半导体器件(100)还包括沿着第一横向方向(x1)布置在源极区(103)和漏极区(104)之间的栅极沟槽结构(106)。半导体器件(100)还包括沿着第一横向方向(x1)布置在栅极沟槽结构(106)和漏极区(104)之间的场沟槽结构(108)。半导体器件(100)还包括沿着第二横向方向(x2)与场沟槽结构(108)隔开的终止沟槽结构或片段(110)。终止沟槽结构或片段(110)相对于第一表面(1025)的深度(d1)大于场沟槽结构(108)相对于第一表面(1025)的深度(d2)。