半导体器件及其形成方法

本公开涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件被制造为包括：包括多种类型的外延区域的非有源区域、包括不同类型的外延区域的多个非有源区域、和/或它们的组合。在半导体器件的非有源区域中包含多种类型的外延区域，可以提高用于在半导体器件的有源器件区域中形成不同类型的外延区域的工艺气体的分布均匀性。