返回搜索
档案
半导体石墨烯光电探测器及其制备方法和光电逻辑电路
发明专利未知
10浏览
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10F 30/227 (2025.01)H10F 39/10 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/1226 (2025.01)
本发明提供一种半导体石墨烯光电探测器及其制备方法和光电逻辑电路,涉及石墨烯及光电传感的技术领域,该半导体石墨烯光电探测器包括:碳化硅衬底;半导体石墨烯沟道,由外延生长在碳化硅衬底上的半导体石墨烯材料构成;两个金属电极,设置在碳化硅衬底上且分别搭接于半导体石墨烯沟道上方;其中,半导体石墨烯沟道和两个金属电极存在功函差,半导体石墨烯沟道和两个金属电极形成的结构为平面结构。