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光电探测器及其形成方法

发明专利未知
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20权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

申请人

北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

发明人

李瀚; 吴旭升; 苏悦阳; 郑凯

申请日

Apr 2, 2025

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10F 71/00 (2025.01)H10F 30/223 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)

一种光电探测器及其形成方法,探测器包括:开口,贯穿第一介质层和部分基底;第一扩散层,位于开口的侧壁,第一扩散层中掺杂有第一型离子;第二扩散层,与第一扩散层相背离且覆盖开口的侧壁,第二扩散层中掺杂有第二型离子;光吸收层,位于开口的剩余空间中且覆盖第一扩散层侧壁和第二扩散层侧壁;第一型掺杂区,位于光吸收层的侧壁,且第一型掺杂区由第一扩散层中的第一型离子扩散形成;第二型掺杂区,位于光吸收层的侧壁,且第二型掺杂区由第二扩散层中的第二型离子扩散形成。在开口设置第一扩散层和第二扩散层,在降低光吸收层的侧壁往基底中侧掏的同时,使光吸收层两侧的载流子传输距离得到减小,提高光电探测器的带宽。

§ Ⅵ

专利附图

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