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具有界面偶极层的铜铟镓硒太阳电池及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘玮; 杨逍; 马静怡; 赵俊峰

申请日

Jun 9, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/30 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 77/169 (2025.01)

本申请提出了一种具有界面偶极层的铜铟镓硒太阳电池的制备方法,包括:首先在衬底上依次制备背电极层、铜铟镓硒吸收层;然后在铜铟镓硒吸收层的表面依次引入银源和铯源,以使银源填充铜铟镓硒吸收层的表面的缺陷位点,铯源依附于银源结合生长,得到前驱体层,然后对前驱体层进行退火处理,以使银源和铯源发生扩散、重排,得到界面偶极层;再在界面偶极层依次制备缓冲层、窗口层和栅线。在本申请的另一方面,还提出了应用前述制备方法得到的铜铟镓硒太阳电池。