基于PAMS热解牺牲墙的高速光电探测器共晶键合方法

本发明公开了一种基于PAMS热解牺牲墙的高速光电探测器共晶键合方法，包括如下步骤：S1、晶圆预处理；S2、PAMS薄膜旋涂与固化；S3、光刻显影；S4、干法刻蚀；S5、后处理与划片；S6、PD芯片与TIA芯片共晶键合以及PAMS热解牺牲墙挥发。优点，本发明中的PAMS热解牺牲墙，制备于Au bump工艺之后，完全兼容现有芯片工艺，可在晶圆上批量制备与Au bump高度精确匹配的环形的PAMS热解牺牲墙，共晶键合后可完全去除无残留，显著提高共晶键合的良率和效率，适合大规模量产。