一种超快激光诱导氧空位的氧化镓光电探测器的改性方法

本发明公开了一种超快激光诱导氧空位的氧化镓光电探测器的改性方法，属于光电探测器技术领域。包括：在FTO衬底上沉积非晶氧化镓薄膜；利用激光光源，通过物镜聚焦对薄膜表面进行扫线辐照，引入氧空位并降低粗糙度；沉积ITO电极构建ITO/GaO/FTO垂直结构光电探测器。激光处理使薄膜表面氧空位浓度从23.18%升至41.57%，导致ITO/GaO界面势垒高度降低，器件在零偏压条件下产生自供电光响应。当氧空位浓度升高至40%以上时，器件在日盲波段（200nm~280nm）紫外光照下的光电流极性发生可控反转。本发明通过激光参数调控实现氧空位的定量引入和势垒高度的精准调节，具有工艺简洁、无损改性、极性可控及自供电响应等优点。