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基于超表面匀光的高饱和光电探测器

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

熊兵; 徐萌婧; 黄翊愷; 孙长征; 王健; 罗毅

申请日

May 29, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10F 77/40 (2025.01)H10F 30/21 (2025.01)

本发明涉及光电探测与微波光子技术领域,特别涉及一种基于超表面匀光的高饱和光电探测器,包括:超表面结构层,用于对入射光束进行相位调制,得到聚焦和匀光后的光束;衬底层,在通信波段(如1310 nm或1550 nm)为半透明衬底,位于超表面结构层上方,以接收并传播聚焦和匀光后的光斑,以形成均匀分布的光斑;吸收层,位于衬底层上方,以吸收均匀分布的光斑,并产生光生载流子;光电探测器结构层,位于吸收层上方,以收集光生载流子,并输出相应的电信号。由此,解决了高斯光束分布不均引发的局部过饱和与严重热效应等问题。