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半导体元件
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
陈日康; 蔡宗良; 廖清翰; 张家豪; 吴先本; 欧震; 李奇霖; 廖文禄; 程正; 吴宜轩; 黄家芯
申请日
Apr 3, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10H 20/831 (2025.01)H10H 20/841 (2025.01)
本发明公开一种半导体元件,其包括:多个彼此通过沟槽分隔的半导体单元;一绝缘构件,位于沟槽中及多个半导体单元之上;一连接电极,位于绝缘构件上并跨越沟槽,电连接多个半导体单元;以及一空穴,位于沟槽中并由绝缘构件所界定;其中,沟槽具有宽度W,自多个半导体单元其中之一的顶表面至沟槽底部的垂直距离为L,且L/W大于或等于1.5。