一种LED芯片结构及其制备方法

本发明涉及一种LED芯片结构及其制备方法，属于半导体技术领域。LED芯片结构包括外延片，包括基板和依次层叠设置在基板上的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；电流扩展层，设置在第二半导体层上；第一金属电极，设置在电流扩展层上；第二金属电极，设置在第一半导体层上；第一保护层，用于防止第一金属电极的底部和第二金属电极的底部被氧离子氧化。经过离子源处理的膜层表面性质改变，与其表层金属的结合能力更强，省去Ti、Cr等传统粘附层与Ni扩散阻挡层，消除粘附层、阻挡层材料对光线的吸收损耗，解决因增设粘附层、阻挡层造成芯片发光亮度下降的问题；而且界面结合强度提升，防止发生去除粘附层后打线出现异常的相关问题。