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钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名
申请日
Jul 10, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10K 39/15 (2026.01)H10K 39/18 (2026.01)H10K 30/80 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)
本申请涉及电池技术领域,公开了一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法。钙钛矿晶硅叠层电池包括沿第一方向层叠设置的晶硅底电池和钙钛矿顶电池;钙钛矿顶电池包括沿第一方向层叠设置的空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、复合缓冲层和顶部电极层,其中,复合缓冲层包括沿第一方向层叠设置的第一有机缓冲子层、金属导电层和第二有机缓冲子层。本申请提供的技术方案,能够提升器件的反向耐压能力,规避热斑效应,从而有效提升器件的稳定性和使用寿命。