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一种全钙钛矿串联电致发光二极管及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

孙长久; 王守宇; 李博文; 徐康

申请日

Jul 23, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10K 50/19 (2023.01)H10K 50/17 (2023.01)H10K 50/13 (2023.01)H10K 50/844 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)H10K 85/50 (2023.01)

本发明提供了一种全钙钛矿串联电致发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域。该发光二极管,从下到上依次为第一子单元、中间连接层和第二子单元;第一子单元从下到上依次为导电基底、第一空穴传输层、第一钙钛矿发射层和第一电子传输层;中间连接层从下到上依次为金属氧化物致密层、金属氧化物导电层和偶极层;第二子单元从下到上依次为第二空穴传输层、第二钙钛矿发射层、第二电子传输层、介电缓冲层和顶电极。本发明中的金属氧化物致密层/金属氧化物导电层/偶极层新型中间连接层具有优异的电学性能,实现了高效、低损耗的电荷生成与注入,显著提升全钙钛矿叠层LED的电学器件性能。