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铜等离子体蚀刻方法、通过铜等离子体蚀刻方法制造的显示装置和包括显示装置的电子装置

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

金湘甲; 李敬喆; 金泰圣

申请日

Feb 11, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10K 59/12 (2023.01)H10K 59/131 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)H01J 37/32 (2006.01)

提供了铜等离子体蚀刻方法、通过铜等离子体蚀刻方法制造的显示装置和包括显示装置的电子装置。显示装置包括:基底;绝缘层,在基底上;至少一个晶体管,在绝缘层上;至少一条信号线,在绝缘层上并且连接到至少一个晶体管;以及发光元件,连接到至少一个晶体管,其中,信号线包括铜,并且其中,绝缘层的表面包括氯。

§ Ⅵ

专利附图

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