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一种P型碲化铋基热电材料及其制备方法

发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘锋; 吴永庆; 唐泽丰; 李明; 崔博然

申请日

Jun 8, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10N 10/853 (2023.01)H10N 10/01 (2023.01)

本发明属于热电材料技术领域,具体涉及一种P型碲化铋基热电材料及其制备方法。本发明的技术方案通过结合热压与热挤出技术:一方面利用热压技术在材料中形成丰富的缺陷,增强了声子散射来降低晶格热导率;另一方面利用热挤出技术增强了织构,提升了电输运性能。同时,进一步通过调控Sb/Bi比例和Pb掺杂量,优化了空穴浓度。最终相比于仅热压或冷压热挤出的技术方案,材料性能获得了显著提升,20~100℃温度下,材料的晶格热导率≤0.8W/mK,zT值为1.15~1.3。

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