基于电场、磁场与温度场协同调控的忆阻器件及制备方法

本发明涉及分子电子器件技术领域，尤其涉及基于电场、磁场与温度场协同调控的忆阻器件及制备方法。包括金属漏极、功能分子和金属源极，所述功能分子自组装形成单分子功能膜，单分子功能膜设置于金属漏极和金属源极之间；金属漏极与金属源极形成电极对，金属漏极与金属源极相对面覆盖石墨烯层，功能分子的一端通过化学键与所述金属源极键合，功能分子的另一端通过范德华非共价作用与金属漏极的电极层物理连接。利用该制备方法所得到的忆阻器件，在单一器件中实现了电场调控忆阻开关效应、磁场调控的巨磁阻效应与温度场增强的自旋注入效应的协同集成。有望为构建存算一体与类脑计算系统提供高性能、多功能的硬件基础。