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硅纳米片和高掺杂源极/漏极区之间的界面电阻的降低
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10P 14/20 (2026.01)H10P 14/24 (2026.01)H10P 50/24 (2026.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)
公开了在相同的过程条件下在相同的反应室中使用外延沉积方法进行硅纳米片回蚀以降低源极/漏极和硅纳米片界面电阻的方法和系统。回蚀可以是Cl热回蚀。