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形成半导体结构的方法、半导体结构和半导体处理系统

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

J·黄; 千承珠; 金河林; Y·辛; 金熙哲; 寓性柱

申请日

Apr 3, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10P 50/20 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 50/28 (2026.01)H10P 14/60 (2026.01)H10P 14/69 (2026.01)H10W 10/00 (2026.01)H10W 10/17 (2026.01)

提供了一种形成半导体结构的方法,包括:在处理室中,在凹部的侧壁上沉积材料。该方法包括将蚀刻气体提供到处理室中。该方法包括将稀释气体提供到处理室中。该方法包括将等离子体提供到处理室中。

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