一种半导体用真空腔体水冷结构及制作方法

本发明公开了一种半导体用真空腔体水冷结构及制作方法，旨在提供一种能够有效减少连续焊接量，从而有效的控制真空腔体形变，提升水冷结构密封性能、运行稳定性与可靠性的一种半导体用真空腔体水冷结构及制作方法。它包括：若干自下而上依次的水冷通道，设于真空腔体侧壁内，所述水冷通道呈方形，其包括前后左右四条依次连通的直水道，所述直水道采用机加工制作，各水冷通道包括首端与末端；连接槽，设于真空腔体的外侧壁表面，采用机加工制作，任意相邻两条水冷通道的首端与末端通过连接槽相连接；密封盖，各连接槽的槽口采用密封盖密封；两个进出口，其中一个设于最下方的水冷通道的首端，另一个设于最上方的水冷通道的末端。