晶圆检测方法和晶圆检测系统

本申请公开了一种晶圆检测方法和晶圆检测系统，属于半导体技术领域。所述方法包括：将刻蚀剂加热至熔融态；在熔融态的所述刻蚀剂的温度大于或等于预设温度阈值的情况下，将待测晶圆浸没于熔融态的所述刻蚀剂，并通入第一辅助气体，对所述待测晶圆进行刻蚀，所述第一辅助气体为氧化性气体；获取所述待测晶圆的刻蚀形貌图像；基于所述刻蚀形貌图像，确定所述待测晶圆的位错检测结果。该方法通过通入第一辅助气体，可以为待测晶圆的刻蚀过程补充溶解氧，溶解氧可以提高刻蚀速率，以使待测晶圆中不同类型的位错更易于分辨，该方法出现误判的概率低，得到的位错检测结果准确度高。