一种基底的保护方法及半导体器件

本申请公开了一种基底的保护方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，用于解决由于污染造成的半导体器件制造良率低的问题；基底包括相对设置的上表面和下表面、以及连接上表面和下表面的侧面；基底的保护方法包括：在基底的上表面的边缘、下表面的边缘和侧面形成保护层，保护层的材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸；在基底的上表面具有功能层的情况下，去除功能层的一部分以及保护层，一部分为覆盖保护层的部分，其中，功能层是在形成保护层之后形成的；基底的保护方法用于制备半导体器件。