一种提升锆钛酸铅基晶圆面内电光系数的极化方法

本发明公开了一种提升锆钛酸铅基晶圆面内电光系数的极化方法，涉及微电子与光电子材料制备技术领域。所述极化方法包括以下步骤：将锆钛酸铅基晶圆在极化温度为锆钛酸铅基晶圆表面锆钛酸铅基薄膜居里温度以下40~50℃、极化电场强度为15~25V/cm的条件下进行面内极化处理。本发明在锆钛酸铅基晶圆表面锆钛酸铅基薄膜居里温度附近且略低于居里温度的温度条件下利用远低于传统方法的低电场强度对整片锆钛酸铅基晶圆进行面内极化处理，实现了整片晶圆的均匀极化，显著提升了晶圆良率与器件长期稳定性。