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密封环结构
发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10W 42/00 (2026.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/47 (2025.01)
本公开涉及半导体结构,更具体地涉及密封环结构及制造方法。该结构包括:沟槽结构,其位于GaN材料堆叠中;欧姆金属,其在沟槽结构的一侧接触GaN材料堆叠的上表面;以及密封环结构,其在沟槽结构的一侧从欧姆金属竖直延伸并与欧姆金属接触。
IPC 分类
本公开涉及半导体结构,更具体地涉及密封环结构及制造方法。该结构包括:沟槽结构,其位于GaN材料堆叠中;欧姆金属,其在沟槽结构的一侧接触GaN材料堆叠的上表面;以及密封环结构,其在沟槽结构的一侧从欧姆金属竖直延伸并与欧姆金属接触。