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使用管芯和先柱法的半导体器件及制造方法

发明专利未知
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15权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

郑奕祥; 杨全丰; 刘智明; 曾俊逸

申请日

Mar 27, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10W 70/09 (2026.01)H10W 70/60 (2026.01)H10W 70/63 (2026.01)H10W 70/655 (2026.01)H10W 70/652 (2026.01)H10W 90/22 (2026.01)

使用管芯和先柱法的半导体器件及制造方法。一种半导体器件具有半导体管芯和邻近半导体管芯设置的导电柱。密封剂沉积在半导体管芯和导电柱上方。第一导电层直接形成在密封剂、导电柱和半导体管芯上。第二导电层直接形成在与第一导电层相对的密封剂、导电柱和半导体管芯上。