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具有减少翘曲的半导体器件

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

朴奎星; 慎重垣; 河大权

申请日

Jan 16, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10W 70/63 (2026.01)H10W 70/652 (2026.01)H10W 70/68 (2026.01)

一种半导体器件,包括:衬底;第一过孔,穿透衬底;第二过孔,穿透衬底;以及绝缘图案,围绕第一过孔和第二过孔,其中,绝缘图案包括在第一过孔和第二过孔之间的第一部分,该第一部分包括第一图案部分以及与第一图案部分重叠的第二图案部分,并且第一图案部分的宽度小于第二图案部分的宽度。