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代工厂兼容的用于电镀凸块的超低电阻的凸块下金属化

发明专利未知
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14权利要求 · 12 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

V·M·阿南塔帕德马纳巴饶; R·米勒

申请日

Apr 2, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10W 72/20 (2026.01)H10W 72/00 (2026.01)

一种半导体结构,包括:半导体基基板;设置在基板上的势垒层;设置在势垒层上的电镀晶种层;其中势垒层被配置用于减轻从晶种层到基板的原子扩散;设置在晶种层上且被配置用于抵抗晶种层的氧化的封盖层;以及设置在封盖层上的焊料凸块。