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多层结构体的制造方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
C30B 29/24 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)
本发明的多层结构体的制造方法具有：第一外延成膜工序，在硅基板的（100）面上通过溅射形成向（100）面取向的第一层；第二外延成膜工序，在第一层上通过溅射形成向（100）面取向的Pt的第二层；以及第三外延成膜工序，在第二层上通过溅射形成向（100）面取向的第三层。