返回搜索
档案
半导体存储装置
发明专利未知
9浏览
17权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10B 10/00 (2006.01)H10D 62/10 (2006.01)H10D 89/10 (2006.01)
SRAM单元包括有源区（N3）和电源布线（13）。在有源区（N3）形成有读出驱动晶体管（RPD），电源布线（13）形成在背面布线层，在俯视时与有源区（N3）具有重叠部分，供给电源电压VSS。相当于读出位线（RBL）的布线（63）形成在金属布线层。