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蚀刻方法
发明专利未知
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14权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10P 50/24 (2026.01)
提供适合于对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜的槽形状的形成的蚀刻方法。蚀刻方法包括:将具备交替地层叠有氧化硅膜与氮化硅膜并形成有多个孔的层叠膜的晶圆载置于处理室内的晶圆载台的工序;以及向处理室内供给氟化氢气体,将构成相邻的孔的侧壁的氧化硅膜以及氮化硅膜蚀刻而将孔沿径向扩大,由此将多个孔连结的工序。
IPC 分类
提供适合于对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜的槽形状的形成的蚀刻方法。蚀刻方法包括:将具备交替地层叠有氧化硅膜与氮化硅膜并形成有多个孔的层叠膜的晶圆载置于处理室内的晶圆载台的工序;以及向处理室内供给氟化氢气体,将构成相邻的孔的侧壁的氧化硅膜以及氮化硅膜蚀刻而将孔沿径向扩大,由此将多个孔连结的工序。