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硼掺杂诱导氮缺陷的V-BCN/CuS复合光催化剂及合成方法和应用

发明专利未知
7权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

何国富; 顾佳艳

申请日

Sep 15, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

B01J 27/24 (2006.01)C02F 1/30 (2023.01)B01J 27/04 (2006.01)B01J 37/08 (2006.01)B01J 35/50 (2024.01)B01J 35/39 (2024.01)C02F 101/34 (2006.01)C02F 101/36 (2006.01)C02F 101/38 (2006.01)

本发明公开了一种硼掺杂诱导氮缺陷的V‑BCN/CuS复合光催化剂及合成方法和应用,其应用是在可见光活化过硫酸盐(PMS)降解盐酸土霉素(OTC)中的应用。所述硼掺杂氮空位的V‑BCN/CuS复合光催化剂,通过精准调控硼掺杂氮化碳(V‑BCN)与CuS的负载比例,同时借助硼掺杂诱导g‑CN中氮空位(V)的有序分布构筑大量的光催化活性位点,不仅可以有效抑制光生电子‑空穴对的复合,而且可以同步增强PMS的活化效能,最终显著提升该催化剂的反应效率和结构稳定性。本发明提供的复合光催化剂制备工艺简单、可有效降低盐酸土霉素对水体环境的毒性风险,为水体中抗生素类药物污染物的高效处理提供了一种新的技术路径和数据支撑。

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