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一种阻变存储器用PbS量子点的制备方法及其反应装置

发明专利未知
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5权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

陈瑞祥; 陈卓; 耿朋辉; 王星辰; 高晶晶

申请日

Apr 14, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

C01G 21/21 (2006.01)B82Y 20/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)B01J 19/00 (2006.01)B01J 19/18 (2006.01)B01J 4/00 (2006.01)C09K 11/66 (2006.01)

本发明涉及半导体纳米材料技术领域,具体涉及一种阻变存储器用PbS量子点的制备方法及其反应装置。本发明采用的技术方案为:称取氧化铅与油酸混合,加入十八烯,于氮气保护下以1.5℃/min升温至120℃,恒温搅拌至溶液透明,得到铅前驱体溶液,量取六甲基二硅硫烷与十八烯混合,磁力搅拌15分钟,制得热注入溶液。铅前驱体经三次真空‑Ar循环,氧残留量<50 ppm。控温120℃±0.5℃,热注入溶液以1.0 mL/min速率注入,800 rpm搅拌反应2分钟,冰浴淬灭,反应液与丙酮:异丙醇混合离心,沉淀经正己烷清洗3次,60℃真空干燥制得PbS量子点。所制备的PbS量子点具有表面密度高、尺寸均匀、成本低廉、合成周期快等优点。

§ Ⅵ

专利附图

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