一种光电忆阻器用MoS量子点的制备方法

本发明涉及纳米生物材料技术领域，具体涉及一种光电忆阻器用MoS量子点的制备方法。其采用的制备方法为：采用钼源与硫脲作为反应物，采用去离子水作为溶剂，盐酸或氨水调节溶液pH，转移至高压反应釜，密封后置于烘箱进行反应，结束后充分冷却至室温，使用去离子水反复冲洗去除残留离子，利用离心机分离出MoS，真空烘干得到MoS粉末；将MoS粉末和去离子水加入离心管中进行混合，然后将离心管置于双层烧杯中，设定循环冷却水温度为18°C，将混合好的溶液进行超声破碎，得到反应液；得到的反应液再低速离心处理得到上清液即可。本发明方法制备的MoS量子点具有尺寸均匀、纯度高以及工艺可控性强的特点。