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一种高性能碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

张朝晖; 程兴旺; 周金朝; 贾晓彤; 王强; 李文俊

申请日

Aug 13, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

C04B 35/565 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)

本发明涉及一种高性能碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。本发明以SiC粉体和未经预交联及预热解处理的碳化钛前驱体为原料,经分散混合与蒸发干燥后得到复合粉体;随后将复合粉体进行老化处理,并采用放电等离子烧结进行致密化制备,得到高性能SiC复合陶瓷。烧结过程中,碳化钛前驱体原位裂解形成纳米TiC相和石墨化碳相,所述裂解产物分布于SiC晶界处,其中纳米TiC相能够细化晶粒并提高材料强度,石墨化碳相能够促进裂纹偏转和裂纹扩展耗能,提高材料断裂韧性。本发明可在较低烧结温度下获得高致密度、高硬度、高强度和高韧性的SiC复合陶瓷,其相对密度可达到97%以上。