具有高自旋活性的碳基S型异质结及其制备方法和应用

本发明公开了具有高自旋活性的碳基S型异质结及其制备方法和应用，属于自旋半导体材料技术领域；该方法包括：以三嗪类氮源、熔盐体系及氮化碳前驱体为原料，使用前驱体共熔法或固态共混法引入硼源，经熔盐缩聚工艺分别制备B掺杂PTI和带负电的B掺杂CCN，对带负电的B掺杂CCN经质子化处理得到带正电的B掺杂CCN；将B掺杂PTI和带正电的B掺杂CCN按1：(0.2‑5)的质量比混合，通过静电自组装及界面自旋耦合作用，使PTI与CCN在界面处形成紧密接触的碳基S型异质结；该异质结界面同时具备能带匹配调控、电荷定向迁移和自旋选择性输运功能，有效提升材料的自旋催化活性；本发明制备的异质结可应用于自旋光电化学传感器、自旋催化反应器、自旋电输运器件领域中。