一种利用Au(I)-Thiolate配位聚合物作为前驱体制备高量子产率近红外二区荧光纳米晶AgAuSe的方法

本发明涉及荧光材料技术领域，尤其涉及一种利用Au(I)‑Thiolate配位聚合物作为前驱体制备高量子产率近红外二区荧光纳米晶AgAuSe的方法。该制备方法以Au(Ⅰ)‑Thiolate为金前驱体，该前驱体可在4～150℃范围内通过温度调控活性物质浓度来调控产物结构与性质，该温度范围内合成的AgAuSe量子产率为37.8～99.3%。其中150℃可统一AgSe种子和AgAuSe的合成温度，大幅简化制备工艺。基于本方法得到的近红荧光材料荧光量子产率最高接近100%，且具有荧光寿命长、尺寸小且均匀、适用范围广等优势。