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一种用于先进制程的CMP后清洗液及其制备方法与应用

发明专利未知
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10权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

侯军; 刘稳

申请日

Jun 29, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

C11D 7/26 (2006.01)H10P 70/00 (2026.01)C11D 7/32 (2006.01)C11D 7/34 (2006.01)

本发明涉及一种用于先进制程的CMP后清洗液及其制备方法与应用,其中用于先进制程的CMP后清洗液,按照重量份计算包括如下组分:pH缓冲剂1‑10份;螯合剂1‑10份;有机酸1‑10份;缓蚀剂0.01‑0.05份;还原剂0.1‑0.5份;界面渗透剂0.01‑0.05份;超纯水80‑90份。本发明界面渗透剂先渗透低k介质微孔与铜沟槽结构,溶解难溶有机污染物;pH缓冲剂松动铜表面氧化层,中和酸性残留;还原剂选择性还原一价铜氧化物,弱化氧化层与铜基底的结合力;螯合剂络合铜离子与杂质金属离子,彻底溶解剥离复合污染物;缓蚀剂在清洗过程中同步在铜表面形成致密钝化膜,阻断清洗液与铜表面的接触,实现清洗效率与腐蚀控制的动态平衡,最终获得低残留、低损伤的晶圆表面。

§ Ⅵ

专利附图

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