一种连续MoSiB阻扩散层构筑方法

本发明提供了一种连续MoSiB阻扩散层构筑方法，涉及难熔金属高温防护涂层技术领域。预氧化前，纯Mo基体表面的双层涂层包括外侧含MoSi的硅化物层和内侧连续MoB硼化物层，所述MoB硼化物层的厚度不小于10 μm。采用1500℃保温30~100 h或1600℃保温1~20 h的预氧化制度后，涂层由外至内依次包括硼掺杂二氧化硅保护层、MoSi层、硅化物层、连续MoSiB阻扩散层以及含MoB和/或MoB的硼化物层。MoSiB相由MoSi与MoB和/或MoB在界面处反应生成，并沿界面相互连接形成贯通横截面观察区域的连续带状相区。本发明通过调控预氧化温度和时间，缩短MoSiB相的不连续生长阶段并促进其连续化，在纯Mo或Mo基合金材料长时高温防护及硅化物涂层界面扩散调控领域具有良好的应用前景。