一种提升临界电流密度的SrTiO调控的FeSeTe超导薄膜及其制备方法与应用

本发明涉及一种提升临界电流密度的SrTiO调控的 FeSeTe 超导薄膜及其制备方法与应用，在 FeSeTe 薄膜的 PLD 生长过程中，交替使用 FeSeTe 靶材和 SrTiO靶材，并通过控制 SrTiO靶材的激光脉冲数，使微量 SrTiO周期性引入 FeSeTe 基体中。该方法能够调控 FeSeTe 薄膜的微应变和局部结构扰动，形成有利于磁通钉扎的区域。实验结果表明，SrTiO引入后，FeSeTe 薄膜仍保持 c 轴择优取向，且 2p‑STO/FeSeTe 薄膜的微应变量由对照薄膜的0.12% 增加至0.19%，并且有效地提高了在场临界电流密度。本发明工艺路线简单，不依赖额外辐照等后处理步骤，适用于 FeSeTe 超导薄膜的性能调控。