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一种提高二硫化钼单晶生长速率的双输运剂次序激活化学气相输运方法及装置

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

王涛; 黄彦; 赵清华; 郑丹; 刘毅; 余海文

申请日

Aug 5, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

C30B 25/00 (2006.01)C30B 29/46 (2006.01)

本发明提供了一种提高二硫化钼单晶生长速率的双输运剂次序激活化学气相输运方法及装置。该方法将第一输运剂、二硫化钼前驱体和第二输运剂分别装入第一容器、第二容器和第三容器中,并一同封装于反应管内;第三容器设有缩颈结构,用于限制第二输运剂的释放通量。成核阶段,仅使第一输运剂参与化学气相输运,第二输运剂不参与,降低随机成核概率。晶体长大阶段,升高第三容器温度,使第二输运剂经缩颈结构受控释放并参与气相输运,提高物质输运速率,促进已形成晶核持续长大。本发明通过第二输运剂的独立储存、室温保持、后期启动及缩颈限流,实现了成核阶段与晶体长大阶段输运条件的分段匹配,兼顾了成核选择性与晶体长大速率,适用于快速制备。