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一种大尺寸铌酸锂晶体的多阶段气氛退火抗光损伤增强方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
马涛; 燕婕; 王耀萱; 曹浩; 何福莉; 聂瑞
申请日
Sep 15, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
C30B 33/02 (2006.01)C30B 29/30 (2006.01)C30B 33/00 (2006.01)
本发明涉及一种大尺寸铌酸锂晶体的多阶段气氛退火抗光损伤增强方法,属于压电晶体技术领域,解决了现有技术中大尺寸(6英寸及以上)铌酸锂晶体掺杂均匀性差,导致整体光损伤性能不稳定,光学损伤阈值低,难以满足高功率激光器应用需求的问题。该方法包括晶体渐进式预热前处理,多级气氛退火,以及退火后的纳米结构调控技术,实现了大尺寸铌酸锂晶体抗光损伤能力的大幅度提高。
§ Ⅵ
专利附图
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