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一种适用于疲劳加速试验的MEMS结构及其疲劳加速试验方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
申请人
中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
发明人
董显山; 周斌; 黄鑫龙; 苏伟; 曾雯莲; 林晓玲; 路国光
申请日
Jul 17, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
G01N 1/28 (2006.01)B81B 7/02 (2006.01)B81C 1/00 (2006.01)G01N 3/38 (2006.01)G01N 3/06 (2006.01)
本发明公开了一种适用于疲劳加速试验的MEMS结构及其疲劳加速试验方法,MEMS结构为硅基上下电容式结构,包含可动梳齿组件与固定梳齿组件,静电加力极板采用错位排布,分为部分错位、全部错位两种形式;部分错位结构保留梳齿交叠区域提供基础静电力,错位段依靠电场边缘效应补充驱动力,同时释放悬臂梁形变空间,解决传统正对梳齿结构静电驱动力与形变行程相互制约的技术难题。本发明配套电激励疲劳加速试验方法,可自由调控加载频率与应力幅值,兼容温湿度、振动多场耦合环境,能够实现大应变、高频率循环疲劳加载,精准采集MEMS结构疲劳寿命数据并构建疲劳失效模型。