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一种基于g-CN/MXene的三维多级多孔结构及其制备方法与应用
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
G01N 27/327 (2006.01)G01N 27/48 (2006.01)G01N 27/30 (2006.01)
本发明公开了一种基于g‑CN/MXene的三维多级多孔结构及其制备方法与应用,属于二维纳米材料组装与三维多孔功能结构构筑技术领域。该结构包括三维导电基底以及分布于所述三维导电基底表面和纤维间隙中的g‑CN/MXene基多孔结构。所述g‑CN/MXene基多孔结构由g‑CN二维纳米片和MXene二维纳米片组成,二维片层交织形成开放型层状多级多孔网络,并与三维导电基底共同构筑连续导电网络。其制备方法包括:将g‑CN与MXene复合形成二维异质材料分散体系,通过相转移方式获得稳定分散的g‑CN/MXene有机分散体系,将其负载于三维导电基底,并经诱导组装形成由二维片层交织构成的三维多级多孔结构。本发明所得结构结合三维导电骨架与g‑CN/MXene异质界面的协同作用,具有开放传质通道和丰富活性界面,可用于构建电化学传感器、光电化学传感器以及电化学‑光电化学双模式传感器。