光刻胶去胶工艺

一种光刻胶去胶工艺包括步骤：S1，提供刻蚀过程中待去除光刻胶的晶圆，晶圆包括按照行列分布彼此间隔开的VOx结构，各VOx结构包括从下往上依次设置的硅衬底、二氧化硅膜层、厚氮化硅膜层、氧化钒膜层、薄氮化硅膜层、最顶层的残留的光刻胶、以及沿沟槽覆盖在氧化钒薄膜的顶部表面上的通过C/F基气体刻蚀薄氮化硅膜层形成的聚合物；S2，晶圆置于干法去胶工艺腔中，晶圆与加热板在上下方向上间隔开预定距离且由多个能够升降的顶杆支撑，所述预定距离大于零，去胶温度由加热板设定，去胶时间由干法去胶工艺腔的机台设定，去胶温度、去胶时间和所述预定距离一起配置成避免光刻胶在干法去胶过程中热固化且避免聚合物形成空洞；S3，湿法去胶。