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一种基于三维高斯过程的桥墩氯离子空间侵蚀场模拟方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
孙苗苗; 付昱珑; 潘辉亮; 谢雯欣; 胡成宝; 李炳澍; 吴熙; 刘嘉英
申请日
Jun 17, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
G06F 30/13 (2020.01)G06F 30/23 (2020.01)G06F 18/27 (2023.01)G06F 18/214 (2023.01)G06F 119/04 (2020.01)
本发明涉及一种基于三维高斯过程的桥墩氯离子空间侵蚀场模拟方法,包括:构建桥墩的三维空间坐标系;构建包含输入特征和输出标签的样本数据集;构建用于描述氯离子浓度在所述多维建模空间中分布的三维时空高斯过程回归模型;训练得到最优的高斯过程回归模型;全桥墩氯离子空间侵蚀场的插值重构;基于重构的氯离子侵蚀场,评估桥墩的锈蚀风险。本发明的有益效果是:本发明全面覆盖桥墩氯离子侵蚀的时空特征,解决了传统一维、二维模型无法刻画全桥墩三维空间侵蚀差异的问题。