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一种航天器三维深层充电效应仿真分析方法及电子设备
发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
杨涛; 蔡明辉; 夏清; 许亮亮; 贾鑫禹; 谢文明
申请日
Jul 27, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
G06F 30/15 (2020.01)G06F 30/23 (2020.01)G06T 17/20 (2006.01)
本发明公开了一种航天器三维深层充电效应仿真分析方法及电子设备,该方法包括:空间高能粒子环境的导入或者输入;构建bnd格式的航天器三维模型并对其结构进行材料参数赋值;对航天器三维模型进行网格剖分得到与每个网格一一对应的材料参数;基于Geant4软件来仿真原初带电粒子及次级粒子在航天器材料内的运动轨迹和能量沉积;通过绝缘体内所带电荷在电场下漂移收集到网格体内分布,再通过求解包含RIC模型的电荷连续性方程和泊松方程,来仿真电荷的输运过程。通过有限元方法求解沉积电荷形成的电场,再将全空间辐照矢量输入航天器三维模型,利用有限元技术对多材料和多结构的部件进行剖分,仿真分析沉积电荷在微观和宏观层次形成的电位与电场分布。