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一种激光熔覆残余应力预测及工艺优化方法
发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
尹博; 刘远航; 程玉龙; 童坤昊; 应铭柯; 郭启明; 王家蕊; 王朱雨曦; 汪博闻
申请日
Jul 20, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
G06F 30/23 (2020.01)G16C 60/00 (2019.01)G06F 113/10 (2020.01)G06F 119/02 (2020.01)G06F 119/14 (2020.01)
本发明涉及激光增材制造与表面工程技术领域,公开了一种激光熔覆残余应力预测及工艺优化方法。针对现有激光熔覆残余应力预测方法难以区分熔覆层细晶区与热影响区粗晶区的组织差异、无法量化连续生长限制效应对晶粒尺寸调控作用的技术缺陷,解决了经典模型在非平衡凝固条件下预测精度低且无法建立工艺‑组织‑应力定量映射关系的核心问题。基于泰勒位错理论与Hall‑Petch细晶强化模型,引入连续生长限制因子Qc构建微观残余应力预测模型,具有物理机制明确、计算过程简洁高效、无需复杂有限元迭代的优势,能够精准捕捉不同工艺条件下晶粒细化与位错塞积对残余应力的影响规律,为激光熔覆工艺优化提供量化的理论指导。
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